芯片股行情，血仍未冷

前不久，微博流传的方正电子首席陈杭和中芯国际光刻胶部门负责人杨晓松的怒怼截图，令行业诧异不已。

一句“你算老几？”，引起资本市场的哗然，甚至带崩了芯片股的上涨势头。

截图里，被广发证券半导体分析师耿正称为“真正的专家”的杨晓松，从国内的现状出发，认为“国内没有一家光刻胶可以看的”。

而陈杭则是发了一篇其对中芯国际研究的文章，基于目前百年未有之大变局、中国面对的条件约束下，认为“中芯国际基于美系设备7nm的现实意义小于基于国产设备的成熟工艺，且中国半导体的主要矛盾已经从缺少先进工艺调教，转移到缺少国产半导体设备、材料”。

随后，陈杭被“请出了群聊”，群里有人发言“资本市场的人有点自信过头了”，各大媒体上的评论也一边倒讨伐陈杭。

老实说，虽然卖方分析师喜欢吹牛皮，容易头脑发热。

但这件事，君临认为第三方的陈杭看的更清醒。

行业内的专家，虽然对技术、产品的认知更到位，但对行业大势的发展，其实大多是“不识庐山真面目，只缘身在此山中。”

不是因为君临混的是资本市场，只会纸上谈兵，也不是君临无视光刻机被卡脖子的现实。

恰恰是因为这个现实，在国产替代成为国家意识、国家战略的情况下，中芯国际作为被扶持的重点对象，国产替代的龙头企业，应该承担起这一份责任。

在内部高管和技术人员眼里，纵使国内的光刻胶企业目前对内不能满足公司的供应需求，但他们应该认识到，研发永远是渐进的。

他们不应该对外自负认为这些企业是渣渣，更不应该两眼一闭，冷水一泼，享受虚无缥缈的优越感。

高管和核心技术人员的想法，在一定程度上决定着一个企业的未来，代表着中芯国际的企业形象。

如果连中芯国际都瞧不上自己国家的企业，不愿意给国内企业机会，国产芯片如何成功？

No.1

光刻胶多卡脖子？

光刻胶被称为半导体材料皇冠上的明珠，是半导体光刻不可缺少的核心环节。

按照应用领域，可以分为PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶和其他，全球市场中这四者的供应比例均衡，均为25%左右；

但在中国本土市场的供应上，主要以低端PCB用光刻胶为主（国产化率50%），LCD和半导体用光刻胶供应量占比非常低，主要依靠进口。

光刻胶从低端到高端，分了好几类：g线、i线、KrF、ArF、EUV，从前到后越来越高端。

其中，KrF、ArF这两种类型的光刻胶已占据全球半导体用光刻胶销售额的60%以上。

这种分类，不是因为这个名称直接代表着光刻胶的成分，而是与光刻机的光源有关，代表着光刻机光源的种类，对应着不同的激光波长。

KrF对应着248nm的激光波长；ArF对应着193nm的激光波长；最新的EUV光刻胶，则到了13.5nm的波长。

激光波长越短，可以实现的光刻精度越高，所以要想实现7nm以下的工艺制程，就必须用到EUV光刻机，光刻机的精度不同，意味着需要对应配套的光刻胶的要求也不同。

光刻胶的身不由己，从原材料环节就开始了。

光刻胶是由光引发剂、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体。

以ArF光刻胶各组分质量占比为例，它的溶剂占73%-95%，成膜树脂占5%-15%，光引发剂占0.05%-10%，其余添加剂占0.01%-2%。

其中，树脂和光引发剂是光刻胶最核心的部分。

树脂对整个光刻胶起到支撑作用，可以想象成光刻胶的骨架，它使光刻胶具有耐刻蚀性能。

它是科技含量最高的部分，不同的光刻胶树脂的结构不同，合成难度非常高，通常光刻胶厂商在合成一种树脂后就申请相应的专利，日本一直把光刻胶树脂等原材料的生产技术牢牢掌握在手中。

国内的企业虽然也有树脂产品，但集中在G线、I线用的树脂上，主要应用于PCB、LCD产品，KrF、ArF用的成膜树脂几乎没有；

圣泉集团虽有提供树脂的能力，但符合光刻胶要求的仅30%。

光引发剂是光刻胶材料中的光敏部分，能发生化学反应，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。

由于技术门槛高，光引发剂的话语权主要也是掌握在日商手中。

国内的强力新材虽然在技术方面有领先优势，但其主要应用在PCB领域，半导体领域的光引发剂还很弱。

总体来看，根据TrendBank的数据（2019年），全球光刻胶用光引发剂、溶剂、成膜树脂及单体的主要生产企业总共44家，所属地在日本的企业最多，占据全球光刻胶原材料生产企业数量的49%。

我国的企业虽然占比达到29%，但产量和规模较小，品种规格较为单一。

原材料主要靠进口，下一步的制作更是被掐住了命运的咽喉。

光刻胶的制造环节，要想突破，必经步骤是对领先的光刻胶产品进行逆向分析并且仿制。

但不同类别、厂家、应用的光刻胶，在成本配比，加工工艺不同，在敏感度、感光度、分辨率等性能上差距明显，存在配方壁垒。

又因为光刻胶材料无法直接拆解，很难分析出制造工艺和具体配比，模仿难度非常大。

另外，光刻胶是光刻机的核心耗材，光刻机与光刻胶在新产品开发、产品销售等方面均存在一定协同效应，上世纪七八十年代日本光刻机的崛起带动了其光刻胶的发展，形成了一定的设备和品控壁垒，使日本目前依然牢牢占据了光刻胶的垄断地位。

日本的JSR、东京应化、信越化学及富士胶片四家企业占据了全球70%以上的市场份额；具体到半导体光刻胶领域，他们四家也占据了60%以上的市场份额。

在材料和制造的双层困境下，国内的光刻胶情况有多艰难呢？

“没有一家ArF能看的”，这句话的确是现状。

中国半导体光刻胶技术水平与世界先进水平有2-3 代的差距，半导体领域KrF光刻胶国产化率5%左右，半导体领域ArF光刻胶份额仅有1%左右、EUV更是全部进口。

但这并不代表国内的企业不努力。

晶瑞股份、彤程新材、上海新阳等目前处于KrF通过验证或量产阶段。

南大光电是目前国内光刻胶暂时领先的企业，其在7月29日发布公告称其ArF光刻胶通过验收，虽然通过验收和实际大规模量产是两回事，但这是南大光电踏入新征途、高端光刻胶国产替代的起点。

有差距我们一直承认，有进步我们也看在眼里，光刻胶那1%很难，半导体前路漫漫，但中国必争。

No.2

中芯国际有多难？

全球芯片制造第一梯队的是台积电，在先进制程上领先全球，专业代工领域占据的份额超过50%；随即是兼具代工和IDM的三星电子、格罗方德和联电。

中芯国际的市占率排名为全球第五，主要是成熟制程，已有14nm的先进制程；除此以外，中国大陆的华虹集团也占小部分份额，中芯国际和华虹集团合计共占全球晶圆代工6%的市场份额。

作为晶圆制造第二梯队的中芯国际，发展的道路有两条。

一个是追赶先进制程，不断进行资金研发，力争打破一线厂商垄断。

在被美国制裁之前，中芯国际一直选择这条道路，对第二代FinFET技术进行了大量的投入。

二是选择需求量更大的成熟制程，提高产线盈利水平。

由于追赶先进制程，不仅需要投入大量资本，又需要摩尔定律放缓且台积电放缓研发，目前虽然摩尔定律出现了放缓，但台积电在先进制程的研发上从未放缓，除了三星以外的厂商很难能追上。

选择这条路可以节省高额的研发资金，但同时也意味着基本失去了跻身一线厂商的可能，例如，联电和格罗方德就先后决定放弃10nm及以下制程的研发。

现在的中芯国际，迫于美国的压力，在经营上只能将更大的精力放在第二条道路上，在此基础上一边放慢速度储备先进制程，另一边进行去美化产线的储备。

美国的压力，到底有多重呢？

2019年，日本通过限制光刻胶等材料卡住了韩国的三星和海力士；2020年，美国用设备卡住了中国的半导体发展，华为、中芯国际等企业只能感慨和无奈，美国的半导体辐射范围太强了。

首先，“瓦森纳协议”成为高悬在国内半导体企业头上的达摩克利斯之剑。

这份协议在1996年签署，出口限制的对象包括军民两用商品和技术清单等，美国、日本、英国、俄罗斯、荷兰等42个国家都是成员国，但中国大陆是被列入“禁运国”的。

虽然协议上规定“成员国自行决定是否发放敏感产品和技术的出口许可证，并在自愿基础上向其他成员国通报有关信息”，但实际上成员国在重要的技术出口决策上受到美国的影响。

美国总是从其全球安全战略考虑，并以出口限制政策为借口，严格限制高技术向我国出口。

比如，供应了全球90%以上光刻机的ASML（阿斯麦）是荷兰的。

一方面，荷兰是协议内的国家，ASML尚未取得荷兰向中国出口的许可。

另一方面，就算开放许可，也并非开放最新的EUV光刻机等许可，因为ASML是通过收购美国企业进行EUV光刻机产业链布局的。

其对美国承诺，EUV光刻机还需要保证55%的零部件均从美国供应商处采购，并接受定期审查，所以美国对ASML的光刻机销售掌握着一定的话语权。

这就导致了即便有钱，中芯国际也很难购买到先进的制造设备，中芯国际的量产制程与国际有2-3代的差距，想提升却被条条框框限制住了步伐。

同样，日本也是瓦森纳协议的成员国，在光刻胶被日本垄断的背景下，这张协议或将随时成为击垮国内半导体的达摩克利斯之剑。

其次，中芯国际绝大部分设备从美国进口。

全球半导体设备厂商中，前十大厂商有4个来源于美国，合计市占率高达42.2%，几乎垄断了半导体设备的半壁江山。

从招标情况来看，中芯国际光刻设备尚未实现国产化，刻蚀设备非核心环节可国产化，检测设备国产化率低。

其中，检测设备有50%美国进口，刻蚀设备的美国企业占比约39%，薄膜沉积设备有39%来自美国。

在美式技术体系下，14nm量产良率达标；但这种背景，国内芯片制造的发展，明显被美国掣肘，中芯国际在后期仍将较长时间内处于美国压制的环境下。

再难也要前行。

先进制程的储备是前行的方向之一。

已有先进制程的客户突破比制程突破更容易，之前华为是中芯国际先进制程的客户，但华为被美国限制后，中芯无法与其正常合作，只得另寻先进制程客户。

在中芯国际最新的调研纪要中（2021年7月29日），中芯国际表示目前嘉楠耘智是大客户。

公司调研纪要

这里的N+1，并不是7nm，而是中芯国际的内部代号，N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%。

对中芯国际来说，N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%，因而也是一个特殊的工艺节点。

纵使量不大，但也算是摸着石头过河，一步步攀登。

去美产线是前行的另一个方向。

2020年9月，就有报道传出中芯国际准备建设不含美国设备的40nm芯片生产线，并计划在三年内在相同的基础上研发更先进的28nm制程生产线。

君临看来，去美化工作量极为庞大，目前跟进的研究和新闻实锤并不多，中国去美化技术能做出什么样的芯片，3年内是否能做出28nm一切还有待验证。

不怕差10年，就怕摇摆不定。

但还好，从一些关联性事件来看，这种情况没有发生。

一方面，核心技术人员跳去了协助国产化生产线。

吴金刚博士是公司的5名核心技术人员之一，主要负责N+1先进工艺。

7月4日晚间，中芯发布公告称，公司核心技术人员吴金刚博士近日因个人原因申请辞去相关职务并办理完成离职手续。

但事实上，根据中芯国际的说法，吴博士去了一家龙头公司，协助做国产化产线。

毕竟，国产化产线比先进制程，成功的可能性更大，公司表明，公司目前在推进国产化产线，有些14nm的国产设备已经在推进了。

另一方面，华为海思自研首款OLED屏显驱动芯片进入试产阶段，有传中芯国际为其代工。

华为这一款芯片采用40nm制程工艺，虽然目前头部厂商的OLED驱动芯片产品已经从40nm工艺转向更先进的28nm工艺，但总体还是打破了韩企垄断中国市场的局面。

在2020年9月15日之后，所有采用美国技术的芯片制造厂都不能为华为代工生产芯片。

在这个背景下，如果中芯国际或许将以40nm工艺为华为代工生产OLED驱动芯片，那么这就意味着起码在40nm芯片上，中芯国际的去美化已初取成效。

不怕难，哪怕差距再大也要去美化！

这是一条迟早会趟出来的路。