小米10带飞!氮化镓概念股两连涨,黑科技背后有何投资机会?
作者:格隆汇·史蒂芬老梦
小米爆了!但与三星自爆的note 7手机不一样,小米这次爆火的不仅是它旗舰手机小米10,还有它的充电器。
上周小米10的推出不仅让公司的产品定位彻底脱胎换骨,挥挥手告别平民定位,一个潇洒回头便走向清新雅致的高端路线。更让人意想不到的是,随着小米配套产品GaN充电器的推出,"氮化镓(GaN)"为更多人所熟知,并就此带火了氮化镓概念股。
今日,氮化镓概念板块继上周五多股涨停后,今日延续强势,截至收盘概念股板块中富满电子及海特高新涨停,联创电子、华微电子及扬杰科技均涨超3%。宁德时代、三安光电、捷捷微电、耐威科技涨幅均超2%。
(图源:同花顺iFinD)
"氮化镓概念" 对于很多人而言或比较陌生,以下将从三个W(what,why, and how)入手,简析一下上周推出小米GaN充电器是如何引爆A股概念股板块的。
GaN充电器:更小、更快、更高效
在上周四(13日)小米举行的线上年度旗舰新品发布会上,雷总除了推出公司年度旗舰小米10系列--小米10、小米10 Pro两款新品之外,还有一款配套的GaN充电器Type-C 65W。该款充电器采用氮化镓技术,最高支持65W疾速充电,搭配小米10 Pro可实现50W快充,还可为笔记本充电。
该款充电器售价为149元。从官网的介绍来看,小米的这款GaN充电器采用了第三代半导体材料(其实就是氮化镓),体积更小、更轻,效率更高--为小米Pro充满电的时间仅需45分钟。
(图源:小米官网)
此次小米的新款充电器采用的"黑科技"氮化镓为第三代半导体,具有强度大、熔点高(约为1700℃)、直接带隙宽、强原子键、高热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)的特性。
该材料主要应用于生产功率器件。在小米推出GaN充电器前,市面上的手机充电器主要材料为基于硅的半导体材料。但快速充电器若使用硅功率器件,难免会出现体积大、不便携带等问题。
而氮化镓材料具有开关频率高、禁带宽度大、导通电阻低三大特点,则可较好解决以上问题。具体而言,氮化镓功率器件由于开关频率较高,故可以相应减少变压器体积;且由于其效率较高,可减少或省略散热片数量,从而进一步缩小大功率充电器的体积,满足当前手机快速充电器的便携性要求。
而在功率上,氮化镓电源芯片比旧式慢速硅技术加快二十倍,功率则高出三倍。
通过对比小米GaN充电器与其他品牌快速充电器可发现,小米的GaN充电器在体积、重量、充电效率及至最终的售价等方面均具有一定的优势。
(图源:广发证券研报)
但如果只是小米GaN充电器可能成为市场爆款的话,显然并不足以支撑氮化镓概念股连续两个交易日的强势上涨。
事实上,另一国产手机品牌OPPO早在去年10月10日发布其Reno Ace手机时,就配备了全球首款65W GaN充电器,但当时引起市场反响显然不及上周的小米充电器大。如今,接着小米及雷总的流量,GaN充电器将有望成为之后所有智能手机的标配。
参考过往历史,2013 年高通发布快充技术,一年之后普及至安卓手机,其渗透率迅速提升。横向类比,今年GaN充电器或只有在少数几款高端机型配备。但在2021年之后,随着高耗电5G手机的迅速普及,大功率快充将成为标配,刺激GaN充电器市场迅速爆发。
同时,规模量产下氮化镓芯片设计、制造成本将快速下降,进一步促进充电器的应用普及。据Yole预计,2024 年 GaN功率市场的规模将达到 7.5亿美元,而在2018至2024 年间市场规模的复合年增长率将高达92%。其中,GaN快充市场2020-2023年间增速将达到 55%。2023年GaN快充市场规模将达到4.2亿美元。
产业链标的有哪些?
按产业链划分,氮化镓产业环节可分为衬底、外延、器件设计与制造(即芯片,包括LED芯片、功率器件、射频芯片、激光芯片等)及下游的应用四个环节。值得一提的是,氮化镓功率器件除可以应用手机快速充电器外,其射频芯片还有一个更广泛的应用--5G通讯基站。
而相比起当前已见苗头手机快充,氮化镓射频芯片在5G通讯基站的应用则属更长线的增长点(目前氮化镓射频芯片仅在少数基站投入使用)。
(图源:广发证券研报)
产业链上游环节方面,硅基氮化镓是各大RF射频芯片和功率器件公司主要研发方向,而氮化镓衬底大部分由日本公司生产。其中,单是住友电工的市场分额就超过90%以上。国内实现产业化生产氮化镓衬底的企业则包括苏州纳维科技公司和东莞市中镓半导体科技公司。但该两家公司均未在A股上市。
中游方面,未来随着规模效应出现,以硅作为衬底的氮化镓外延成本将逐步降低,氮化硅功率器件有望取代高端领域的硅器件。当前有从事该领域的境外公司包括台积电、IDM、TI、日本松下,而国内相关企业则包括三安光电、海特高新和耐威科技。
除此之外,当前有从事功率器件生产的上市企业还有士兰微(公司为国产功率器件龙头厂商,早在2017年即拥有6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线)及富满电子(公司主要从事电源管理类芯片、LED控制芯片、MOSFET类芯片生产)。
除以上直接与氮化镓产业链相关的个股外,还有部分可能受GaN快充预期普及带动需求量增加的有关概念股。该部分产业链相关个股亦可适当关注。当中与磁材相关的生产商(氮化镓等半导体材料普及,需要更高开光频率。电感磁材的高频铁硅铝涡流损耗低,可应用于高频开关)包括天通股份及横店东磁。
上述概念股中,天通股份业务范围涵盖设备自制、材料自研、生产,公司有布局碳化硅衬底材料领域;横店东磁则是当前国内最大的磁性材料生产企业。
而氮化镓的普及有可能令其他第二、三代化合物半导体受到关注,有关上市企业包括三安光电及云南锗业(公司可生产高纯度砷化镓单晶及晶片,而该等材料在光芯片、无线射频领域同样有广泛应用)。
但值得留意的是,以上氮化镓概念股在过去一周均经历了较大程度的上涨,其估值已较高(除三安光电、天通股份及横店东磁外,其余个股滚动市盈率均高于100X)。而从基本面上看,概念股去年全年业绩预告中,仅有天通股份、横店东磁、海特高新及耐威科技预计净利润同比出现增长。
投资者入手以上氮化镓概念股,还需提防短期炒作的风险。
(图源:同花顺iFinD)